Halfgeleiderdivisie Samsung Foundry heeft aangekondigd dat het is begonnen met de productie van 3nm-chips in zijn fabriek in Hwasong. In tegenstelling tot de vorige generatie, die FinFet-technologie gebruikte, maakt de Koreaanse gigant nu gebruik van GAA-transistorarchitectuur (Gate-All-Around), wat de energie-efficiëntie aanzienlijk verhoogt.
3nm-chips met MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA-architectuur zullen onder meer een hogere energie-efficiëntie behalen door de voedingsspanning te verlagen. Samsung gebruikt ook nanoplaattransistors in halfgeleiderchips voor hoogwaardige smartphonechipsets.
Photo Gallery
Vergeleken met nanodraadtechnologie maken nanoplaten met bredere kanalen hogere prestaties en betere efficiëntie mogelijk. Door de breedte van de nanoplaten aan te passen, kunnen Samsung-klanten de prestaties en het energieverbruik afstemmen op hun behoeften.
Mogelijk bent u hierin geïnteresseerd
Vergeleken met 5nm-chips hebben de nieuwe volgens Samsung 23% hogere prestaties, 45% lager energieverbruik en 16% kleiner oppervlak. Hun 2e generatie zou dan 30% betere prestaties, 50% hoger rendement en een 35% kleiner oppervlak moeten bieden.
“Samsung groeit snel terwijl we leiderschap blijven tonen in de toepassing van technologieën van de volgende generatie in de productie. We streven ernaar dit leiderschap voort te zetten met het eerste 3nm-proces met de MBCFETTM-architectuur. We zullen actief blijven innoveren in concurrerende technologische ontwikkelingen en processen creëren die het bereiken van technologische volwassenheid helpen versnellen.” zei Siyoung Choi, hoofd van de halfgeleiderdivisie van Samsung.
