Samsung is vandaag begonnen met de massaproductie van zijn nieuwe DDR3 DRAM-modules met behulp van een productieproces van 20 nanometer. Deze nieuwe modules hebben een capaciteit van 4Gb, oftewel 512MB. Het beschikbare geheugen van individuele modules is echter niet hun voornaamste kenmerk. De vooruitgang ligt juist in de toepassing van een nieuw productieproces, wat resulteert in een tot 25% lager energieverbruik vergeleken met het oudere, 25-nanometerproces.
De overstap naar 20-nm-technologie is ook de laatste stap die het bedrijf scheidt van het starten van de productie van geheugenmodules met behulp van het 10-nm-proces. De technologie die momenteel in de nieuwe modules wordt gebruikt, is ook de meest geavanceerde op de markt en kan niet alleen met computers maar ook met mobiele apparaten worden gebruikt. Voor computers betekent dit dat Samsung nu chips kan maken met dezelfde grootte, maar met een aanzienlijk groter werkgeheugen. Samsung moest ook zijn bestaande technologie aanpassen om de chips kleiner te kunnen maken met behoud van de huidige productiemethode.
- Mogelijk bent u geïnteresseerd in: Samsung heeft het eerste 8Gb LPDDR4 mobiele DRAM-geheugen ontwikkeld
